Компанией НТЦ-НТ разработана методика для производства тонких слоёв SiC на подложках Si диаметром до 6 дюймов.
По запросу возможно мелкосерийное производство.
|
Диаметр
|
2,4,6 дюймов
|
Политип
|
3С,6H
|
Шероховатость
|
< 2nm
|
Толщина слоя SiC
|
70-200нм
|
Однородность по толщине
|
10-15%
|
|