Нитевидные
кристаллы/нановискеры
GaN, GaAs на подложках
SiC/Si

Подложки SiC/Si подходят для роста нитевидных кристаллов широкозонных полупроводников (GaN,AlN) а также ряда других материалов.
По запросу возможно мелкосерийное производство.