СЛОИ И ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ III-N
НА ПОДЛОЖКАХ SiC/Si

Компания НТЦ-НТ обладает экспериментальной и производственной базой для производства тонких плёнок
и гетероструктур широкозонных полупроводников (AlN, GaN, AlGaN) методом хлорид-гидридной эпитаксии.
По запросу возможно мелкосерийное производство.