СЛОИ И ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ III-N НА ПОДЛОЖКАХ SiC/Si
Компания НТЦ-НТ обладает экспериментальной и производственной базой для производства тонких плёнок и гетероструктур широкозонных полупроводников (AlN, GaN, AlGaN) методом хлорид-гидридной эпитаксии.
По запросу возможно мелкосерийное производство.