Моделирование потоков и химических реакций при синтезе кристаллов

Одна из ключевых проблем при росте кристалла - однородность
ростовых условий по всей поверхности кристалла

Для решения этой проблемы и обеспечения условий, при которых реализуется однородный рост по всей площади, мы проводим численное моделирование газовых и тепловых потоков в реакторе, а также химических реакций методом конечных элементов. Для этого используются как специализированные программные пакеты, так и собственные разработки ООО "НТЦ-НТ". Это позволяет улучшить параметры получаемых кристаллов.