Объемные слои
III-нитридов на подложках
SiC/Si

Технология позволяет выращирвать на подложках кремния с буферным слоем SiC слои
широкозонных полупроводников толщиной до сотен микрон,
и в дальнейшем отделять их от подложки.
По запросу возможно мелкосерийное производство.